Power Electronics News· Christa Paul·· 4 天前精选AI 评分70
SemiQ 发布第四代碳化硅MOSFET器件
SemiQ Launches 750 V and 1200 V Gen4 SiC MOSFETs
AI 导读
SemiQ Inc. 发布第四代QSiC碳化硅功率器件，包括1200V和750V MOSFET及裸片，具有更低的导通电阻和改进的开关性能，可减少功率损耗并支持更紧凑高效的电力系统。
推荐理由
原文给出了具体性能参数和改进数据，读者可以据此评估该技术对电力电子设备效率提升的实际价值。
来源：Power Electronics News · powerelectronicsnews.com