晶圆级老化测试如何提升 SiC 与 GaN 宽禁带器件可靠性

SiC MOSFET 和 GaN HEMT 等宽禁带功率器件在电动车牵引逆变器、数据中心、消费电源等领域快速普及，但仍存在栅氧外质缺陷、基面位错、动态导通电阻升高等失效风险。晶圆级老化测试（WLBI）可在数小时尺度上筛除早期失效芯片，比探针台几秒级的加速应力测试更安全有效，有助于提升功率模块的良率与可靠性。SiC 的失效模式建模仍在学习阶段，AQG-324 等标准持续更新补充考核项目。