Charged EVs· Jeffrey Jenkins·· 14 小时前AI 评分48
GaN 开关深入解析：优势、局限与栅极驱动挑战
A closer look at GaN switches: benefits, limitations and gate-drive challenges
AI 导读
GaN 开关在临界电场（约为 Si 的 14 倍）和电子迁移率（1,500-2,000 cm²/s）上优于 SiC，但目前市售 GaN 器件最高仅 650 V，而 SiC 已有大量 1,200 V 及以上型号。
来源：Charged EVs · chargedevs.com